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PID絕緣測試儀（TOS7210S）是為準確有效地對太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現象進(jìn)行評估，以絕緣電阻測試儀（TOS7200）為基礎設計而成的測試儀。 
附有極性切換功能，輸出電壓可達2000V,同時(shí)裝載了n*分辨率的電流表，因此不僅可以進(jìn)行PID評估，還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測試的絕緣體評估測試。標準安裝了可從外部調用的面板存儲器及RS232C接口，因此也可以靈活對應自動(dòng)化系統。
什么是PID現象？
PID現象是指太陽(yáng)能電池與邊框長(cháng)期被施以高電壓，電池發(fā)電量顯著(zhù)降低的現象。目前認為所施加的電壓越高，越是在高溫、高濕的環(huán)境下劣化現象越嚴重。如晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的輸出電壓即使只有數十V，一旦直接連接的片數增加，串內的電位差將變得非常高。一方面，PCS（Power Conditioning System）作為交流電源與系統相連,使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接（一側電極不能接地線(xiàn)）的無(wú)變壓器方式近年有所增加。這種情況下電池和地線(xiàn)間將發(fā)生高電位差?，F在可明確的是，晶體硅太陽(yáng)能電池模塊中，相對于邊框（接地線(xiàn)）負極電位高的電池容易發(fā)生PID現象。（請參照圖1）目前，日本國內以zui大600V、歐洲以zui大1000V的系統電壓運行太陽(yáng)能電池模塊，但是目前出現了提高zui大系統電壓以削減企業(yè)用大規模太陽(yáng)能發(fā)電系統的串數、PCS總數，提高發(fā)電效率的趨勢。 
圖2模擬了晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的處于高電位差的狀況。邊框為正極電位、模塊電路處于負*電位的狀況。目前認為是由于超白鋼化玻璃內的鈉離子向電池側遷移而引起劣化。（薄膜太陽(yáng)能電池模塊也被確認出現PID現象，但是發(fā)生劣化的機制與晶體硅太陽(yáng)能電池模塊不同。）現在，各種研究機構正在通過(guò)研究、試驗查找PID現象的原因。
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